美国 KRi 霍尔离子源辅助镀膜 IBAD 应用

上海伯东美国 KRi 霍尔离子源辅助镀膜 IBAD 应用 上海伯东美国 KRi 霍尔离子源 EH 系列, 提供高电流低能量宽束型离子束, KRi 霍尔离子源可以以纳米精度来处理薄膜及表面, 多种型号满足科研及工业, 半导体应用. 霍尔离子源高电流提高镀膜沉积速率, 低能量减少离子轰击损伤表面, 宽束设计提高吞吐量和覆盖沉积区. 整体易操作, 易维护, 安装于各类真空设备中, 例如 e-beam 电子束镀膜机, load lock, 溅射系统, 分子束外延, 脉冲激光沉积等, 实现 IBAD 辅助镀膜的工艺. KRi 霍尔离子源特点

高电流低能量宽束型离子束 灯丝寿命更长 更长的运行时间 更清洁的薄膜 灯丝安装在离子源侧面

KRi 霍尔离子源辅助镀膜 IBAD 典型案例: 设备: 美国进口 e-beam 电子束蒸发系统 离子源型号: EH 400 应用: IBAD 辅助镀膜, 通过向生长的薄膜中添加能量来增强分子动力学, 以增加表面和原子 / 分子的流动性, 从而导致薄膜的致密化或通过向生长薄膜中添加活性离子来增强薄膜化合物的化学转化, 从而得到化学计量完整材料. 离子源对工艺过程的优化: 无需加热衬底, 对温度敏感材料进行低温处理, 简化反应沉积.

上海伯东同时提供 e-beam 电子束蒸发系统所需的涡轮分子泵, 真空规, 高真空插板阀等产品, 协助客户生产研发更高质量的设备. 1978 年 Dr. Kaufman 博士在美国创立 Kaufman & Robinson, Inc 公司, 研发生产考夫曼离子源, 霍尔离子源和射频离子源. 美国考夫曼离子源历经 40 年改良及发展已取得多项利. 离子源广泛用于离子清洗 PC, 离子蚀刻 IBE, 辅助镀膜 IBAD, 离子溅射镀膜 IBSD 领域. 上海伯东是美国 KRi 考夫曼离子源中国总代理.

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